<big id="z9zvl"><thead id="z9zvl"></thead></big><rp id="z9zvl"></rp>
    <big id="z9zvl"><video id="z9zvl"></video></big>

          <progress id="z9zvl"></progress>
          首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
          EEPW首頁 >> 主題列表 >> nexperia

          nexperia 文章

          Nexperia表面貼裝器件通過汽車應用的板級可靠性要求

          •  基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布,公司研發的表面貼裝器件-銅夾片FlatPower封裝CFP15B首次通過領先的一級供應商針對汽車應用的板級可靠性 (BLR)測試。該封裝將首先應用于發動機控制單元。 BLR是一種評估半導體封裝堅固性和可靠性的方法。測試遵循極為嚴格的程序,在十分注重安全性和可靠性的汽車應用中具有重要的指導意義。隨著汽車行業向電動和車聯網轉型,車載電子系統越來越復雜,因此該認證至關重要。 Nexperia雙極性功率分立器件產品經理Guido S?h
          • 關鍵字: Nexperia  表面貼裝器件  

          Nexperia將于2021年9月21日-23日舉辦“Power Live”

          • 基礎半導體器件領域的專家Nexperia,今日宣布將于9月21日至23日舉辦‘Power Live’,這是其第二次舉辦此年度虛擬會議。鑒于去年首屆活動取得圓滿成功,本屆為期三天的活動將擴大規模,涵蓋與功率電子元件相關的眾多主題,包括面向汽車和工業應用的GaN、MOSFET、功率二極管和雙極性晶體管。 會議重點將包括:l MOSFET全電熱模型Nexperia新款MOSFET電熱模型的詳細預覽,該模型可以在仿真中準確呈現器件的靜態和動態特性,并降低在設計過程后期發現EMC問題的風險。 l
          • 關鍵字: Nexperia  Power Live  

          Nexperia再度蟬聯博世全球供應商大獎

          •  基礎半導體器件領域的專家Nexperia非常榮幸地宣布,公司榮獲博世全球供應商榮譽大獎“采購直接材料 - 移動解決方案”。連續兩次獲得這一殊榮足以證明Nexperia與全球領先的技術和服務供應商博世已建立長期協作關系,包括合作進行早期階段的產品開發,以應對汽車行業面臨的挑戰。 博世供應鏈管理主管Arne Flemming博士表示:“博世全球供應商大獎旨在表彰全球各地的最佳供應商。作為開發和創新領域的合作伙伴,他們在幫助博世保持競爭力方面發揮了重要作用?!?每隔兩年,博世會從全球各地的供應商中挑
          • 關鍵字: Nexperia  博世  供應商大獎  

          適用于熱插拔的Nexperia新款特定應用MOSFET

          • 新推出的80 V和100 V器件最大限度降低額定值,并改善均流,從而提供最佳性能、高可靠性并降低系統成本?;A半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET,新器件增強了SOA性能,適用于5G電信系統和48 V服務器環境中的熱插拔與軟啟動應用以及需要e-fuse和電池保護的工業設備。 ASFET是一種新型MOSFET,經過優化,可用于特定應用場景。通過專注于對某一應用至關重要的特定參數,有時需要犧牲相同設計中其他較不重要的參數,以實現全新性能水平。新款熱插拔ASFET
          • 關鍵字: Nexperia  MOSFET  

          Nexperia的新型雙極結晶體管采用DPAK封裝,為汽車和工業應用提供高可靠性

          • 基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出9款新的功率雙極性晶體管,擴大了具有散熱和電氣優勢的DPAK封裝的產品組合,涵蓋2 A - 8 A 和45 V - 100 V應用。新的MJD系列器件與其他DPAK封裝的MJD器件引腳兼容,且在可靠性方面有著顯著優勢。新的MJD系列雙極性晶體管滿足AEC-Q101汽車級器件和工業級器件標準,額定值為2 A 50 V (MJD2873/-Q)、3 A 100 V (MJD31CH-Q)、4 A 45 V (MJD148/-Q)和6 A 100 V(MJD4
          • 關鍵字: MJD系列  Nexperia  功率產品  

          獨立半導體設備制造商ITEC借助高生產率的芯片組裝系統緩解半導體短缺問題

          • 由飛利浦(現為Nexperia)于1991年創立的半導體設備制造商ITEC,今日宣布成為獨立實體。ITEC仍然是Nexperia集團的一部分。通過此舉,ITEC能夠及時解決第三方市場的問題,滿足對半導體的噴井式需求。ITEC致力為全球半導體制造商提供經久耐用的創新性制造解決方案。 ITEC一直處于半導體生產的前沿??偨浝鞰arcel Vugts表示:“ITEC扎根于半導體制造領域,作為飛利浦、恩智浦和Nexperia的合作伙伴,我們將30多年來的自動化專業知識與最先進的設備結合起來。ITEC致力于將最新的
          • 關鍵字: ITEC  Nexperia  

          Nexperia獲得Newport Wafer Fab的100%所有權,正式更名為Nexperia Newport

          • 基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布已完成收購Newport Wafer Fab (NWF)的交易,此舉可助力公司實現宏偉的增長目標和投資,進一步提高全球產能。通過此次收購,Nexperia獲得了該威爾士半導體硅芯片生產工廠的100%所有權。Nexperia Newport將繼續在威爾士半導體生態系統中占據重要地位,引領新港地區和該區域其他工廠的技術研發。 Nexperia是Newport Wafer Fab所提供晶圓代工服務的客戶,并于2019年通過投資Neptune 6 Limite
          • 關鍵字: Nexperia  Fab  

          Nexperia全球最小且最薄的14、16、20和24引腳標準邏輯DHXQFN封裝

          •  基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出用于標準邏輯器件的全球最小且最薄的14、16、20和24引腳封裝。例如,16引腳DHXQFN封裝比行業標準DQFN16無引腳器件小45%。新封裝不但比競爭產品管腳尺寸更小,而且還節省了25%的PCB面積。封裝尺寸僅為2 mm x 2 mm(14 引腳)、2 mm x 2.4 mm(16引腳)、2 mm x 3.2 mm(20引腳)和2 mm x 4 mm(24引腳),0.4 mm間距的DHXQFN封裝只有0.45 mm高。器件包括:十六路反向
          • 關鍵字: Nexperia  DHXQFN封裝  

          Nexperia新8英寸晶圓線啟動,生產領先Qrr品質因數80 V/100 V MOSFET

          • 基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布,位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產線啟動,首批產品使用最新的NextPower芯片技術的低RDS(on)和低Qrr ,80 V和100 V MOSFET。新生產線將立即擴大Nexperia的產能,新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件將具有行業內極低的Qrr品質因數(RDS(on) x Qrr)。Nexperia產品經理Mike Becker指出:“鑒于全球半導體短缺的情況下,Nexperia積極投資
          • 關鍵字: Nexperia  MOSFET  

          Nexperia計劃在2021和2022年投資7億美元提高產能

          • 基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布了全球增長戰略最新舉措,即在未來12個月至15個月期間投資7億美元用于擴建歐洲的晶圓廠、亞洲的封裝和測試工廠和全球的研發基地。 新投資將提高所有工廠的制造能力、支持氮化鎵(GaN)寬帶隙半導體和電源管理IC等領域的研發,并將支持舉辦招聘活動,吸引更多芯片設計師和工程師人才。 Nexperia首席運營官Achim Kempe表示:“全球半導體市場正逐漸走出去年上半年以來的頹勢,并重新崛起。2020年,Nexperia 年銷售額為14億美元,銷量從去年第三季度和第四
          • 關鍵字: Nexperia  

          Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業應用實現更高功率密度

          •  基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出新型0.55 m? RDS(on) 40 V功率MOSFET,該器件采用高可靠性的LFPAK88封裝,適用于汽車(BUK7S0R5-40H)和工業(PSMNR55-40SSH)應用。這些器件是Nexperia所生產的RDS(on) 值最低的40 V器件,更重要的是,它們提供的功率密度相比傳統D2PAK器件提高了50倍以上。此外,這些新型器件還可在雪崩和線性模式下提供更高的性能,從而提高了耐用性和可靠性。Nexperia產品市場經理Neil M
          • 關鍵字: Nexperia  低RDS(on)  MOSFET  

          Nexperia推出全新Trench肖特基整流器 旨在為快速開關應用提高效率

          • 奈梅亨,2021年5月10日:基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布擴充了旗下的Trench肖特基整流器產品組合,最新推出額定電壓和電流分別高達100 V和20 A的全新器件,具有出色的開關性能和領先的熱性能。新器件采用Nexperia的夾片式FlatPower (CFP)封裝,管腳尺寸遠小于SMA/SMB/SMC器件。 Trench工藝可在降低漏電流的同時,大幅減少存儲在器件中的Qrr電荷。因而,Trench肖特基整流器能夠實現超快的開關速度,既能減少整流器的開關損耗,又減少了同一換向單元中MOS
          • 關鍵字: Nexperia  Trench  肖特基整流器  

          Nexperia第二代650 V氮化鎵場效應管使80 PLUS?鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運行

          • 基礎半導體器件領域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術和競爭對手器件相比,新款器件具有顯著的性能優勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ(典型值)的RDS(on)性能,適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業開關模式電源(SMPS),特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級效率認證的服務器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內的太陽能逆變器和伺服驅動器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
          • 關鍵字: Nexperia  MOSFET  GaN  

          Nexperia推出適用于汽車應用中高速接口的新型ESD保護器件

          •  基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布推出一系列ESD保護器件,專門用于保護汽車應用中越來越多的高速接口,特別是與信息娛樂和車輛通訊相關的車載網絡(IVN)。 隨著數據傳輸速率的提高和車載電子含量的增加,EMC保護的需求變得越來越重要,提供正確的保護類型已成為設計工程師的巨大挑戰。Nexperia的TrEOS技術優化了ESD保護的三大關鍵參數(信號完整性、系統保護和魯棒性),以提供具有低電容、低鉗位電壓和高ESD魯棒性的理想組合的器件。 全新的PESD4USBx系列總共包括十二款采用Tr
          • 關鍵字: Nexperia  高速接口  ESD  

          Nexperia與聯合汽車電子有限公司就氮化鎵領域達成深度合作

          • 基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布與國內汽車行業主要供應商聯合汽車電子有限公司(簡稱UAES)在功率半導體氮化鎵(GaN)領域展開深度合作,旨在滿足未來對新能源汽車電源系統不斷提升的技術需求,共同致力于推動GaN工藝技術在中國汽車市場的研發和應用。 隨著汽車電氣化、5G通信、工業4.0市場的不斷增長,基于GaN的主流設計正漸入佳境,勢必推動2021年及未來功率半導體的需求增長。Nexperia GaN FET產品已與UAES在電動汽車的車載充電器、高壓DC-DC直流轉換器等項目中開展研發合作。N
          • 關鍵字: Nexperia  聯合汽車電子  氮化鎵  
          共50條 1/4 1 2 3 4 »
          關于我們 - 廣告服務 - 企業會員服務 - 網站地圖 - 聯系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
          Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
          《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
          備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網安備11010802012473