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          IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

          如圖所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構, N+區稱為源區,附于其上的電極稱為源極(即發射極E)。P+區稱為漏區。器件的控制區為柵區,附于其上的電極稱為柵極(即門極G)。溝道在緊靠柵區邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(包括P+和P-區)(溝道在該區域形成),稱為亞溝道區(Subchannel region)。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區(Drain injector),它是IGBT特有的功能區,與漏區和亞溝道區一起形成PNP雙極晶體管,起發射極的作用,向漏極注入空穴,進行導電調制,以降低器件的通態電壓。附于漏注入區上的電極稱為漏極(即集電極C)。

          IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP(原來為NPN)晶體管提供基極電流,使IGBT導通。反之,加反向門極電壓消除溝道,切斷基極電流,使IGBT關斷。IGBT的驅動方法和MOSFET基本相同,只需控制輸入極N-溝道MOSFET,所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后,從P+基極注入到N-層的空穴(少子),對N-層進行電導調制,減小N-層的電阻,使IGBT在高電壓時,也具有低的通態電壓。



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          42# EEPW網友 說:2018-09-26 16:40
          真牛逼
          41# EEPW網友 說:2017-04-04 22:02
          一般的igbt的開通和關斷時間是多長呢
          40# 廣州華工科技 說:2016-10-21 16:38
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          39# EEPW網友 說:2016-07-13 14:15
          38# EEPW網友 說:2016-07-13 14:12
          37# EEPW網友 說:2016-07-13 14:12
          是大幅度發
          36# EEPW網友 說:2016-07-13 14:08
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          35# EEPW網友 說:2016-07-13 14:08
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          34# EEPW網友 說:2016-07-13 14:08
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          33# EEPW網友 說:2015-12-23 14:50
          大聯大品佳-英飛凌一級代理 劉志平 QQ:185609588/Tel:18521067611
          32# EEPW網友 說:2014-09-03 17:43
          請問汽車級IGBT國際知名生產企業都有哪些?有知道的麻煩給說一下,謝謝!
          31# 云端 說:2014-07-21 06:57
          IGBT 管的好壞可以用萬用表來測量嗎?
          30# soothmusic 說:2014-07-20 06:13
          回答29# wyf86:
          這個問題很難回答,有的30年以上
          29# wyf86 說:2014-07-19 22:20
          IGBT的壽命一般多長?
          28# EEPW521 說:2014-06-20 07:06
          回答27# eepwlover:
          是的,設計的時候多注意。
          27# eepwlover 說:2014-06-19 22:23
          變頻器工作時,IGBT的開關動作會產生高頻干擾信號?
          26# EEPW521 說:2014-06-18 22:10
          回答25# eepwlover:
          新能源汽車
          25# eepwlover 說:2014-06-17 21:37
          大功率IGBT的主要驅動力是什么?
          24# 活詞典 說:2014-05-19 21:39
          當MOSFET的溝道形成后,從P+基極注入到N-層的空穴(少子),對N-層進行電導調制,減小N-層的電阻,使IGBT在高電壓時,也具有低的通態電壓。
          23# EEPW網友 說:2014-04-21 16:08
          基于icepak的igbt溫度場仿真應該采用哪種igbt?
          22# wyf86 說:2014-04-15 22:43
          回答21# soothmusic:
          通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP(原來為NPN)晶體管提供基極電流,使IGBT導通
          21# soothmusic 說:2014-04-14 22:36
          IGBT的開關作用是什么
          20# EEPW網友 說:2014-04-13 00:15
          很希望有IGBT的工藝流程
          19# EEPW網友 說:2014-03-13 14:42
          跪求適合傳熱分析的簡單的IGBT的模型?
          18# wyf86 說:2014-03-12 20:10
          IGBT在關閉期間仍承受著高電壓,且帶有殘余電流,滋生不小的開關損耗。
          17# EEPW網友 說:2014-03-04 13:39
          基于有緣柵極控制的IGBT,其實IGBT就是柵極控制吧?沒什么特別含義吧?
          16# wyf86 說:2014-02-17 21:48
          回答15# soothmusic:
          輸出漏極電流Id與柵源電壓Ugs 的關系曲線
          15# EEPW網友 說:2014-02-16 21:42
          什么是IGBT的轉移特性?
          14# 云端 說:2014-01-16 21:42
          回答13# wyf86:
          電流過大是一個原因
          13# wyf86 說:2014-01-15 22:12
          IGBT失效的原因是什么?
          12# wyf86 說:2013-11-07 21:16
          回答11# soothmusic:
          可使用MOSFET驅動技術進行觸發
          11# soothmusic 說:2013-11-06 21:54
          IGBT柵極/發射極阻抗大,應該怎么觸發?
          10# 活詞典 說:2013-10-05 22:31
          回答9# 云端:
          也就是IGBT的開關特性,等效電路為達林頓結構。
          9# 云端 說:2013-10-04 21:13
          IGBT漏源電壓與漏極電流的關系是怎樣的?
          8# soothmusic 說:2013-09-30 21:54
          回答7# eepwlover:
          簡單來說,就是柵源電壓Ugs與輸出漏極電流Id 的關系曲線。
          7# eepwlover 說:2013-09-29 22:34
          IGBT的轉移特性是什么?
          6# 活詞典 說:2013-09-28 22:21
          回答5# 云端:
          Ugs 越高, Id 越大。
          5# 云端 說:2013-09-27 23:36
          選型IGBT,可以參考伏安特性曲線,Ugs與Id的關系是什么樣的?
          4# soothmusic 說:2013-09-25 22:06
          回答3# eepwlover:
          它們都有高輸入阻抗特性。
          3# eepwlover 說:2013-09-24 21:59
          IGBT的輸入阻抗特性,與MOSFET一樣嗎?
          2# liyidong 說:2013-09-23 13:01
          IGBT的飽和壓降低,適合應用在高壓大電流的場合,但是其工作頻率比MOSFET低。
          1# 云端 說:2013-09-22 21:35
          大功率開關電源中,使用IGBT作為開關管,比MOSFET好在哪里?
          EEPW521回答:2013-09-23
          IGBT的飽和壓低,且驅動功率小。MOSFET載流密度小些,導通壓降較大,開關速度要快,驅動功率卻很小。