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          英飛凌和松下攜手加速650V GaN功率器件的GaN技術開發

          作者:時間:2021-09-08來源:電子產品世界收藏

          英飛凌科技股份公司和松下公司簽署協議,共同開發和生產第二代(Gen2)成熟的氮化鎵(GaN)技術,提供更高的效率和功率密度水平。杰出的性能和可靠性與8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產能力相結合,標志著英飛凌對氮化鎵功率半導體日益增長的需求的戰略拓展。根據市場需求,Gen2將被開發為650V GaN HEMT。這些器件將易于使用,并提供更高的性價比,主要針對高功率和低功率SMPS應用、可再生能源、電機驅動應用等。

          本文引用地址:http://www.ctn26.com/article/202109/428121.htm

          對于許多設計來說,氮化鎵(GaN)比硅具有根本的優勢。與硅MOSFET相比,氮化鎵HEMT具有出色的特定動態導通電阻和更小的電容,因此更適于做高速開關。由此帶來的能耗節省和系統總成本降低、可以在更高頻率、更高的功率密度和整體系統效率下工作,使GaN成為對設計工程師非常有吸引力的選擇。

          英飛凌電源和傳感器系統事業部總裁Andreas Urschitz表示:“除了與第1代相同的高可靠性標準外,由于轉向8英寸晶圓制造,下一代客戶將因晶體管更易控制以及顯著改善的成本定位而受益。如同雙方聯合開發的第一代器件(即英飛凌的CoolGaN?和松下的X-GaN?),第二代器件將基于常閉型硅基氮化鎵晶體管結構,再結合混合型漏極嵌入式柵極注入晶體管(HD-GIT)結構無可比擬的穩健性,使這些組件成為市場上的首選產品和最長期可靠的解決方案之一?!?/p>

          松下電器工業解決方案公司工程部副主任Tetsuzo Uedai表示:“我們很高興能擴大與英飛凌在氮化鎵組件方面的伙伴關系和合作。在這種聯合方式下,我們將能夠以最新的創新發展為基礎,提供高品質的第一代和第二代器件?!?/p>

          供貨情況

          全新650V GaN Gen2器件計劃于2023年上半年上市。



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